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在硅中分別摻雜其他兩類(lèi)微量雜質(zhì)可相應(yīng)形成P型和N型半導(dǎo)體。這樣可制出以空穴或電子為多數(shù)載流子導(dǎo)電的非本征半導(dǎo)體。硅本身具有鉆石結(jié)晶構(gòu)造，若在特定方向軸上施加機(jī)械力（壓力或拉力），晶體內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生畸變。這一畸變又導(dǎo)致晶體內(nèi)部能級(jí)構(gòu)造的變化，并進(jìn)一步導(dǎo)致載流子相對(duì)能量的變化，從而導(dǎo)致晶體固有電阻率的變化。這種半導(dǎo)體晶體承受機(jī)械力后其電阻值增加或減少的現(xiàn)象稱為壓阻效應(yīng)。 
光電開(kāi)關(guān)傳感器根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓組效應(yīng)，在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴(kuò)散電阻而制成。其基片可直接作為測(cè)量光電開(kāi)關(guān)傳感器元件，擴(kuò)散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到威力作用而產(chǎn)生形變時(shí)，各電阻值將發(fā)生變化，使電橋產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料，制成的硅片壓阻光電開(kāi)關(guān)傳感器受到人們的重視，尤其是以測(cè)壓力和速度的固態(tài)壓阻式光電開(kāi)關(guān)傳感器應(yīng)用最為普遍。
1、光電開(kāi)關(guān)系數(shù)
2、影響光電開(kāi)關(guān)系數(shù)的因素
3、光電開(kāi)關(guān)器件
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